IEEE EDS Kansai Chapterの皆様
IEEE Kansai Section の皆様

IEEE EDS Kansai Chapter

Chair 中村 孝
Vice Chair 吉本 昌広

下記の通り、第18回「関西コロキアム電子デバイスワークショップ」を開催致します。
会員の皆様のご参加をお待ち申し上げております。

記

会議名: 第18回「関西コロキアム電子デバイスワークショップ」
主 催: IEEE Electron Devices Society Kansai Chapter
日 時: 2019年1月24日(木) 10:20～16:25
会 場: 龍谷大学大阪梅田キャンパス セミナールーム
場 所: 〒530-0001 大阪市北区梅田2-2-2 ヒルトンプラザウエストオフィスタワー14階

会 費: 無料(事前登録不要)

[お問い合せ先]
IEEE EDS Kansai Chapter Secretary: 西中 浩之 （京都工芸繊維大学; nisinaka[at]kit.ac.jp)
＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝

開会挨拶 [10:20 - 10:25] 中村 孝 （大阪大学）
Session I. 座長： 鎌倉 良成 （大阪大学）
Study on the impacts of hole injection and inclusion of sub-oxide and metallic Si atoms on repeatable resistance swhitching of sputter-deposited siicon
oxide films [IEEE-TDMR]
Y. Omura, R. Yamaguchi, and S. Sato (Kansai Univ.)

Reliability-aware design of metal/high-k gate stack for high-performance SiC MOSFET [ISPSD]
T. Hosoi, S. Azuno, Y. Kashiwagi, S. Hosaka, K. Yamamoto, M. Aketa, H. Asahara,T. Nakamura, T. Kimoto, T. Shimura, and H. Watanabe (Osaka Univ.)

Back-side illuminated GeSn photodiode array on quartz substrate fabricated by laser-induced liquid-phase crystallization for monolithically-integrated
NIR imager chip [IEDM]
H. Oka, K. Inoue, T. T. Nguyen, S. Kuroki, T. Hosoi, T. Shimura, and H. Watanabe (Osaka Univ.)

Chemical sensing using graphene-based surface-acoustic-wave sensor[SSDM]
S. Okuda, T. Ono, Y. Kanai, M. Shimatani, S. Ogawa, T. Ikuta, K. Inoue, K. Maehashi,and K. Matsumoto (Osaka Univ.)

AWARD授与 [12:05-12:20] 上田 尚宏 （リコー電子デバイス）

― 昼食 [12:20 - 13:30] ―

Session II. 座長： 安藤 友一 （リコー）
CMOS-based optical energy harvesting circuit for implantable and IoT devices [SSDM]
W. Nattakarn, M. Haruta, T. Noda, K. Sasagawa, T. Tokuda, M. Sawan, and J. Ohta (Nara Institutes of Science and Technology)

Al-foil-based low-loss coplanar waveguides directly bonded to sapphire substrates [SSDM]
K. Matsuura, J. Liang, K. Maezawa, and N. Shigekawa (Osaka City Univ.)

Session III. 座長： 古橋 壮之 （三菱電機）

6.5 kV Schottky-barrier-diode-embedded SiC-MOSFET for compact full-unipolar module [ISPSD]
K. Kawahara, S. Hino, K. Sadamatsu, Y. Nakao, Y. Yamashiro, Y. Yamamoto, T. Iwamatsu, S. Nakata, S. Tomohisa, and S. Yamakawa (Mitsubishi Electric Corp.)

Fast switching performance by 20 A / 730 V AlGaN/GaN MIS-HFET using AlON gate insulator [IEDM]
S. Nakazawa, H.-A. Shih, N. Tsurumi, Y. Anda, H. Hatsuda, T. Ueda, M. Nozaki, T. Yamada, T. Hosoi, T. Shimura, H. Watahabe, and T. Hashizume (Panasonic Corp.)

Session IV. 座長： 木村 睦 （龍谷大学）

Slave flexible micro-finger integrated with sensor for master-slave sense presentaion system [Transducers]
R. Kawashima, S. Hagimori, A. Sato, and S. Konishi (Ritsumeikan Univ.)

High reliability a-InGaZnO TFT by inductively coupled plasma sputtering system [AM-FPD]
D. Matsuo, S. Kishida, Y. Setogucti, Y. Ando, R. Miyanaga, M. N. Fujii, and Y. Uraoka (Nissin Electric Co., Ltd.)

閉会