IEEE IEEE Kansai Section 会員各位

IEEE ED-15 Kansai Chapter Chair

中村　孝

下記の通り、第17回「関西コロキアム電子デバイスワークショップ」を開催致します。
会員の皆様のご参加をお待ち申し上げております。

記

会議名: 第17回「関西コロキアム電子デバイスワークショップ」
主 催: IEEE Electron Devices Society Kansai Chapter
日 時: 2018年1月29日(月) 10:20～15:50
会 場: 龍谷大学大阪梅田キャンパス
場 所: 〒530-0001 大阪市北区梅田2-2-2 ヒルトンプラザウエストオフィスタワー14階
公用語: 日本語
会 費: 無料(事前登録不要)

[お問い合せ先]
IEEE EDS Kansai Chapter Secretary: 西原 道哲 （立命館大学; mnishihara＠ieee.org)
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第17回「関西コロキアム電子デバイスワークショップ」プログラム

2018年1月29日 (月)
龍谷大学大阪梅田キャンパス

開会挨拶 [10:20 - 10:25] 中村 孝 （ローム）

Session I. Power and Compund Semiconductor Devices [10:25 - 11:40]
座長： 古橋 壮之（三菱電機）

10:25
Normally-off operation of planar GaN MOS-HFET without using
etching process [SSDM]
T. Nanjo, T. Hayashida, H. Koyama, A. Imai, A. Furukawa, M. Yamamuka
Mitsubishi Electric Corp.

10:50
Gate oxide reliability of 4H-SiC V-groove trench MOSFET under
various stress conditions [ISPSD]
T. Hiyoshi, K. Uchida, M. Sakai, M. Furumai, T. Tsuno, Y. Mikamura
Sumitomo Electric Industries

11:15
High-speed switching and current-collapse-free operation by
GaN gate injection transistors with thick GaN buffer on bulk GaN
substrates [IEDM]
H. Handa, S. Ujita, D. Shibata, R. Kajitani, N. Shiozaki, M. Ogawa,
H. Umeda, K. Tanaka, S. Tamura, T. Hatsuda, M. Ishida, T. Ueda
Panasonic Corp.

― 昼食 [11:40 - 13:00] ―

Session II. Sensor, Solar Cell, and Emerging Devices [13:00-13:50]
座長： 佐々 誠彦 （大阪工業大学）

13:00
High-mobility TFT and enhanced luminescence utilizing
nucleation-controlled GeSn growth on transparent substrate for monolithic
optoelectronic integration [IEDM]
H. Oka, M. Koyama, T. Tomita, T. Amamoto, K. Tominaga, S. Tanaka,
T. Hosoi, T. Shimura, H. Watanabe
Osaka Univ.

13:25
Electroluminescence emission patterns of organic light-emitting
transistors based on crystallized fluorene-type polymers [AM-FPD]
H. Kajii, T. Ohtomo, Y. Ohmori
Osaka Univ.

― 休憩 [13:50 - 14:10] ―

Session III. CMOS Process, Device, and Circuit [14:10-15:25]
座長： 鎌倉 良成 （大阪大学）

14:10
Anomalous TDDB statistics of gate dielectrics caused by charging-induced
dynamic stress relaxation under constant-voltage stress [IEEE T-ED]
K. Okada, K. Kurimoto, M. Suzuki
TowerJazz Panasonic Semiconductor Company

14:35
Charge effects of ultrafine FET with nanodot type floating gate [AM-FPD]
T. Ban, S. Migita1, Y. Uraoka2, S. Yamamoto
Ryukoku Univ., 1AIST, 2NAIST

15:00
A self-biased low-dropout linear regulator for ultra-low power
battery management [SSDM]
T. Ozaki, T. Hirose, H. Asano, N. Kuroki, M. Numa
Kobe Univ.

AWARD授与 [15:25-15:45]
上田 尚宏 （リコー電子デバイス）

閉会挨拶 [15:45-15:50] 中村 孝 （ローム）