IEEE EDS Japan Chapter 会員各位

IEEE EDS Kansai Chapter 会員各位

                       IEEE Electron Devices Society Japan Chapter

                       Chair   丹羽正昭

                       Vice Chair  西山　彰

JST主催CREST・さきがけ複合領域「ナノエレ」二期生 CREST中間・さきがけ終了報告会について以下の通りご案内申し上げます。

本CREST・さきがけ複合研究領域はSiデバイスの微細化だけに頼らない形での革新的なナノエレクトロニクス基盤技術の創成を目指しています。本報告会では、その中でCREST二期生たちの中間報告３件とさきがけ二期生たちの終了報告１０件を集め、皆様にコンパクトにわかりやすくその研究成果、ナノエレクトロニクスのシーズをお伝えできればと期待しています。

●開催日時：2018年1月29日（月）9:30～17:50

●開催場所： 東京大学駒場Ⅱキャンパス　コンベンションホール

●参加費：無料

●定　員：250名

●プログラム：

　開会挨拶　　研究総括　桜井　貴康（東京大学　生産技術研究所　教授）

　セッション1（基礎・材料レイヤー）

　　山崎　歴舟（さきがけ）

　　「マイクロ波・光領域における量子オプトメカニカルシステムの構築」

　　長汐　晃輔（さきがけ）

　　「2層グラフェンのギャップ内準位解析と複層化界面制御による準位低減」

　　友利　ひかり（さきがけ）

　　「ひずみ誘起ゲージ場を用いた単原子層膜の伝導制御とエレクトロニクス応用」

　セッション2（デバイスレイヤー／センサー・CMOS応用）

　　益　一哉（CREST）

      「ナノ慣性計測デバイス・システム技術とその応用展開」

　　関　剛斎（さきがけ）

　　 「磁性規則合金を用いた新機能性スピントルク発振素子の創製」

　　長田　貴弘（さきがけ）

      「フッ化物ユニバーサル高誘電体極薄膜材料の創出」

　セッション3（デバイスレイヤー／テラヘルツ応用）

　　浅野　種正（CREST）

　　 「異種機能コデザインによるテラヘルツ帯ビデオイメージングデバイスの開発」

　　高橋　陽太郎（さきがけ）

      「電気磁気創発現象による電磁波制御デバイスの創生」

　　廣理　英基（さきがけ）

      「超高強度テラヘルツ光のナノ空間制御と物性制御技術への応用」

　セッション4（システム・回路レイヤー）

　　橋本　昌宜（CREST）

　   「ビアスイッチの実現によるアルゴリズム・処理機構融合型コンピューティングの創出」

　　河野　崇（さきがけ）

      「定性的モデリングに基づいたシリコン神経ネットワークプラットフォーム」

　　荒井　礼子（さきがけ）

      「スピンを利用したニューロモルフィックシステムの理論設計」

　　福田　憲二郎（さきがけ）

　　 「ナノ膜厚ポリマー絶縁膜を利用した全印刷型基板レス有機集積回路の創成」

　閉会挨拶　　副研究総括　横山　直樹（（株）富士通研究所　名誉フェロー）

詳細は以下を御参照いただければ幸いです。

(http://www.jst.go.jp/kisoken/crest/wp-content/uploads/sites/3/2017/09/poster.pdf)

●参加申込：

https://form.jst.go.jp/enquetes/nanoele2

●問合わせ先：

独立行政法人 科学技術振興機構 戦略研究推進部

グリーンイノベーショングループ　CREST・さきがけ複合領域「ナノエレ」領域担当

TEL：03-3512-3531　FAX：03-3222-2066

E-Mail: crest@jst.go.jp