【IEEE ED-15 Kansai Chapter 広報】 IEEE ED-15 Kansai Chapter 主催 技術講演会「パワーデバイス開発の現状と課題」のご案内（リマインド）
IEEE 関西セクション会員の皆様
2017 IEEE EDS Kansai Chapter
Chair 中村 孝
Subj: EDS関西チャプター主催 技術講演会「パワーデバイス開発の現状と課題」のご案内
下記のようにワイドギャップ半導体の二本柱、SiCとGaNの開発現状及び将来の課題と展望に
関する技術講演会（無料）を来週火曜日に開催します。 奮ってご参加ください。
日時：2017年 10月3日（火）
場所：常翔ホール（大阪工大梅田キャンパス）大阪市北区茶屋町1番45号
セミナー室202
会場へのアクセス https://www.oit.ac.jp/rd/access/
主催：IEEE EDS Kansai Chapter
15:00-15:05 開会の挨拶
15:05-15:55 「高効率電力変換用SiCパワー半導体の進展と課題」
京都大学工学研究科電子工学専攻
教授 木本 恒暢様
15:55-16:05 休憩
16:05-16:55 「GaNパワーデバイス開発の現状と将来展望」
パナソニック株式会社オートモーティブ＆インダストリアルシステムズ社
インダストリアル事業開発センター
所長 上田哲三様
16:55- 閉会および写真撮影
事前参加登録は不要です。 またIEEE会員以外の方のご参加も可能です。
問合せ先
IEEE EDS関西チャプター セクレタリ 西原道哲
